SiC
-
2 duim silikonkarbiedwafels 6H of 4H N-tipe of semi-isolerende SiC-substrate
-
4H-N 4 duim SiC substraatwafer Silikonkarbied Produksie Dummy Navorsingsgraad
-
6 duim 150 mm silikonkarbied SiC-wafers 4H-N-tipe vir MOS- of SBD-produksienavorsing en dummy-graad
-
8 duim 200 mm 4H-N SiC Wafer Geleidende dummy navorsingsgraad
-
2 duim silikonkarbiedwafels 6H of 4H N-tipe of semi-isolerende SiC-substrate