In vergelyking met silikonkarbied-toestelle, sal galliumnitried-kragtoestelle meer voordele hê in scenario's waar doeltreffendheid, frekwensie, volume en ander omvattende aspekte terselfdertyd vereis word, soos galliumnitried-gebaseerde toestelle is suksesvol toegepas in die veld van vinnige laai op 'n groot skaal.Met die uitbreek van nuwe stroomaf-toepassings, en die voortdurende deurbraak van galliumnitried-substraatvoorbereidingstegnologie, word verwag dat GaN-toestelle steeds in volume sal toeneem, en sal een van die sleuteltegnologieë word vir kostevermindering en doeltreffendheid, volhoubare groen ontwikkeling.
Op die oomblik het die derde generasie halfgeleiermateriale 'n belangrike deel van strategiese opkomende nywerhede geword, en word dit ook die strategiese gebiedende punt om die volgende generasie inligtingstegnologie, energiebesparing en emissievermindering en nasionale verdedigingsveiligheidstegnologie aan te gryp.Onder hulle is galliumnitried (GaN) een van die mees verteenwoordigende derdegenerasie halfgeleiermateriale as 'n wye bandgap halfgeleiermateriaal met 'n bandgaping van 3.4eV.
Op 3 Julie het China die uitvoer van gallium- en germaniumverwante items verskerp, wat 'n belangrike beleidsaanpassing is gebaseer op die belangrike eienskap van gallium, 'n seldsame metaal, as die "nuwe graan van die halfgeleierbedryf," en die wye toepassingsvoordele daarvan in halfgeleiermateriale, nuwe energie en ander velde.Met die oog op hierdie beleidsverandering, sal hierdie referaat galliumnitried bespreek en ontleed vanuit die aspekte van voorbereidingstegnologie en uitdagings, nuwe groeipunte in die toekoms en mededingingspatroon.
'n Kort inleiding:
Galliumnitried is 'n soort sintetiese halfgeleiermateriaal, wat 'n tipiese verteenwoordiger is van die derde generasie halfgeleiermateriale.In vergelyking met tradisionele silikonmateriale, het galliumnitried (GaN) die voordele van groot bandgaping, sterk afbreek elektriese veld, lae aanweerstand, hoë elektronmobiliteit, hoë omskakelingsdoeltreffendheid, hoë termiese geleidingsvermoë en lae verlies.
Galliumnitride enkelkristal is 'n nuwe generasie halfgeleiermateriale met uitstekende werkverrigting, wat wyd gebruik kan word in kommunikasie, radar, verbruikerselektronika, motorelektronika, kragenergie, industriële laserverwerking, instrumentasie en ander velde, sodat die ontwikkeling en massaproduksie daarvan is die fokus van aandag van lande en nywerhede regoor die wêreld.
Toepassing van GaN
1--5G kommunikasie basisstasie
Draadlose kommunikasie-infrastruktuur is die hooftoepassingsgebied van galliumnitried RF-toestelle, wat 50% uitmaak.
2 - Hoë kragtoevoer
Die "dubbelhoogte" kenmerk van GaN het groot penetrasiepotensiaal in hoëprestasie verbruikers elektroniese toestelle, wat kan voldoen aan die vereistes van vinnige laai en laai beskerming scenario's.
3--Nuwe energievoertuig
Vanuit die praktiese toepassingsoogpunt is die huidige derdegenerasie-halfgeleiertoestelle op die motor hoofsaaklik silikonkarbiedtoestelle, maar daar is geskikte galliumnitriedmateriale wat die motorregulasiesertifisering van kragtoestelmodules, of ander geskikte verpakkingsmetodes kan slaag, sal steeds deur die hele aanleg en OEM-vervaardigers aanvaar word.
4--Datasentrum
GaN-kraghalfgeleiers word hoofsaaklik in PSU-kragtoevoereenhede in datasentrums gebruik.
Samevattend, met die uitbreek van nuwe stroomaf-toepassings en deurlopende deurbrake in galliumnitried-substraatvoorbereidingstegnologie, word verwag dat GaN-toestelle steeds in volume sal toeneem, en sal een van die sleuteltegnologieë word vir kostevermindering en doeltreffendheid en volhoubare groen ontwikkeling.
Pos tyd: Jul-27-2023