4 duim Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP 0.43mm 0.65mm
Aansoeke
● Groei-substraat vir III-V en II-VI verbindings.
● Elektronika en optiese elektronika.
● IR-toepassings.
● Silicon On Sapphire Integrated Circuit (SOS).
● Radiofrekwensie-geïntegreerde stroombaan (RFIC).
In LED-produksie word saffierwafers gebruik as 'n substraat vir die groei van galliumnitried (GaN) kristalle, wat lig uitstraal wanneer 'n elektriese stroom toegedien word.Sapphire is 'n ideale substraatmateriaal vir GaN-groei omdat dit 'n soortgelyke kristalstruktuur en termiese uitsettingskoëffisiënt as GaN het, wat defekte minimaliseer en kristalkwaliteit verbeter.
In optika word saffierwafels as vensters en lense in hoëdruk- en hoëtemperatuuromgewings, sowel as in infrarooi beeldstelsels, gebruik as gevolg van hul hoë deursigtigheid en hardheid.
Spesifikasie
| Item | 4-duim C-plane(0001) 650μm Sapphire Wafers | |
| Kristal materiaal | 99,999%, Hoë Suiwerheid, Monokristallyne Al2O3 | |
| Graad | Prime, Epi-Ready | |
| Oppervlakoriëntasie | C-vliegtuig (0001) | |
| C-vlak afhoek na M-as 0.2 +/- 0.1° | ||
| Deursnee | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Dikte | 650 μm +/- 25 μm | |
| Primêre plat oriëntasie | A-vlak(11-20) +/- 0,2° | |
| Primêre plat lengte | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
| Enkelkant gepoleer | Voorste oppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0,2 nm (deur AFM) |
| (SSP) | Agteroppervlak | Fyn grond, Ra = 0,8 μm tot 1,2 μm |
| Dubbelkant gepoleer | Voorste oppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0,2 nm (deur AFM) |
| (DSP) | Agteroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0,2 nm (deur AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| BOOG | < 20 μm | |
| WERP | < 20 μm | |
| Skoonmaak / Verpakking | Klas 100 skoonkamer skoonmaak en vakuum verpakking, | |
| 25 stukke in een kassetverpakking of enkelstukverpakking. | ||
Verpakking & Versending
Oor die algemeen verskaf ons die pakket per 25 stuks kassetboks;ons kan ook verpak deur 'n enkele waferhouer onder 100 grade skoonmaakkamer volgens die kliënt se vereiste.
Gedetailleerde diagram
