150 mm 6 duim 0,7 mm 0,5 mm Sapphire Wafer Substraat Draer C-Plane SSP/DSP

Kort beskrywing:

Al die bogenoemde is korrekte beskrywings van saffierkristalle.Die uitstekende prestasie van saffierkristal maak dit wyd gebruik in hoë-end tegniese velde.Met die vinnige ontwikkeling van die LED-industrie neem die vraag na saffierkristalmateriaal ook toe.

Stuur e-pos aan ons

Produkbesonderhede

Produk Tags

Aansoeke

Aansoeke vir 6-duim saffierwafers sluit in:

1. LED-vervaardiging: saffierwafer kan as die substraat van LED-skyfies gebruik word, en die hardheid en termiese geleidingsvermoë daarvan kan die stabiliteit en lewensduur van LED-skyfies verbeter.

2. Laservervaardiging: Sapphire wafer kan ook as die substraat van laser gebruik word, om die werkverrigting van laser te verbeter en die dienslewe te verleng.

3. Halfgeleiervervaardiging: Sapphire-wafers word wyd gebruik in die vervaardiging van elektroniese en opto-elektroniese toestelle, insluitend optiese sintese, sonselle, hoëfrekwensie elektroniese toestelle, ens.

4. Ander toepassings: Sapphire wafer kan ook gebruik word om aanraakskerms, optiese toestelle, dun film sonselle en ander hoë-tegnologie produkte te vervaardig.

Spesifikasie

Materiaal	Hoë suiwer enkelkristal Al2O3, saffierwafel.
Dimensie	150 mm +/- 0,05 mm, 6 duim
Dikte	1300 +/- 25 um
Oriëntering	C-vlak (0001) van M (1-100)-vlak 0,2 +/- 0,05 grade
Primêre plat oriëntasie	'n Vliegtuig +/- 1 graad
Primêre plat lengte	47,5 mm +/- 1 mm
Totale diktevariasie (TTV)	<20 um
Buig	<25 um
Skerring	<25 um
Termiese uitbreidingskoëffisiënt	6,66 x 10-6 / °C parallel met C-as, 5 x 10-6 / °C loodreg op C-as
Diëlektriese sterkte	4,8 x 105 V/cm
Diëlektriese konstante	11,5 (1 MHz) langs C-as, 9,3 (1 MHz) loodreg op C-as
Diëlektriese verliestangens (ook bekend as dissipasiefaktor)	minder as 1 x 10-4
Termiese geleidingsvermoë	40 W/(mK) by 20 ℃
Poleer	enkelkant gepoleer (SSP) of dubbelkant gepoleer (DSP) Ra < 0.5 nm (deur AFM).Die agterkant van SSP-wafer was fyngemaal tot Ra = 0.8 - 1.2 um.
Oordrag	88% +/-1 % @460 nm