8 Duim 200 mm 4H-N SiC Wafer Geleidende dummy navorsingsgraad

Kort beskrywing:

Namate vervoer-, energie- en industriële markte ontwikkel, groei die vraag na betroubare, hoë werkverrigting kragelektronika steeds.Om aan die behoeftes vir verbeterde halfgeleierwerkverrigting te voldoen, soek toestelvervaardigers na halfgeleiermateriale met wye bandgapings, soos ons 4H SiC Prime Grade-portefeulje van 4H n-tipe silikonkarbied (SiC) wafers.


Produkbesonderhede

Produk Tags

As gevolg van sy unieke fisiese en elektroniese eienskappe, word 200 mm SiC wafer halfgeleier materiaal gebruik om hoëprestasie, hoë temperatuur, stralingsbestande en hoëfrekwensie elektroniese toestelle te skep.8 duim SiC-substraatprys neem geleidelik af namate die tegnologie meer gevorderd raak en die vraag groei.Onlangse tegnologie-ontwikkelings lei tot die vervaardiging van 200 mm SiC-wafers op produksieskaal.Die belangrikste voordele van SiC-wafer-halfgeleiermateriale in vergelyking met Si- en GaAs-wafers: Die elektriese veldsterkte van 4H-SiC tydens sneeustorting is meer as 'n orde van grootte hoër as die ooreenstemmende waardes vir Si en GaAs.Dit lei tot 'n aansienlike afname in die op-toestand weerstand Ron.Lae weerstand in die toestand, gekombineer met hoë stroomdigtheid en termiese geleidingsvermoë, maak die gebruik van baie klein matrijs vir kragtoestelle moontlik.Die hoë termiese geleidingsvermoë van SiC verminder die termiese weerstand van die skyfie.Die elektroniese eienskappe van toestelle gebaseer op SiC-wafers is baie stabiel oor tyd en op temperatuur stabiel, wat hoë betroubaarheid van produkte verseker.Silikonkarbied is uiters bestand teen harde bestraling, wat nie die elektroniese eienskappe van die skyfie afbreek nie.Die hoë beperkende bedryfstemperatuur van die kristal (meer as 6000C) stel jou in staat om hoogs betroubare toestelle vir moeilike bedryfstoestande en spesiale toepassings te skep.Tans kan ons klein bondel 200mmSiC-wafers bestendig en deurlopend verskaf en 'n bietjie voorraad in die pakhuis hê.

Spesifikasie

Nommer Item Eenheid Produksie Navorsing Dummy
1. Parameters
1.1 politipe -- 4H 4H 4H
1.2 oppervlak oriëntasie ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2. Elektriese parameter
2.1 doopmiddel -- n-tipe stikstof n-tipe stikstof n-tipe stikstof
2.2 weerstand ohm · cm 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3. Meganiese parameter
3.1 deursnee mm 200±0,2 200±0,2 200±0,2
3.2 dikte μm 500±25 500±25 500±25
3.3 Kerf oriëntasie ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4 Kerfdiepte mm 1~1,5 1~1,5 1~1,5
3.5 LTV μm ≤5(10mm*10mm) ≤5(10mm*10mm) ≤10(10mm*10mm)
3.6 TTV μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Buig μm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Skerring μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AGS nm Ra≤0,2 Ra≤0,2 Ra≤0,2
4. Struktuur
4.1 mikropyp digtheid ea/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 metaal inhoud atome/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD ea/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 BPD ea/cm2 ≤2000 ≤5 000 NA
4.5 TED ea/cm2 ≤7 000 ≤10 000 NA
5. Positiewe kwaliteit
5.1 voor -- Si Si Si
5.2 Oppervlak afwerking -- Si-gesig CMP Si-gesig CMP Si-gesig CMP
5.3 deeltjie ea/wafer ≤100 (grootte≥0.3μm) NA NA
5.4 krap ea/wafer ≤5, Totale Lengte≤200mm NA NA
5.5 Rand
skyfies / inkepings / krake / vlekke / kontaminasie
-- Geen Geen NA
5.6 Politipe areas -- Geen Oppervlakte ≤10% Oppervlakte ≤30%
5.7 voorste merk -- Geen Geen Geen
6. Rugkwaliteit
6.1 agterste afwerking -- C-gesig LP C-gesig LP C-gesig LP
6.2 krap mm NA NA NA
6.3 Rugdefekte rand
skyfies/inkepings
-- Geen Geen NA
6.4 Rugheid nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Rugmerk -- Kerf Kerf Kerf
7. Rand
7.1 rand -- Chamfer Chamfer Chamfer
8. Pakket
8.1 verpakking -- Epi-gereed met vakuum
verpakking
Epi-gereed met vakuum
verpakking
Epi-gereed met vakuum
verpakking
8.2 verpakking -- Multi-wafer
kassetverpakking
Multi-wafer
kassetverpakking
Multi-wafer
kassetverpakking

Gedetailleerde diagram

8 duim SiC03
8 duim SiC4
8 duim SiC5
8 duim SiC6

  • Vorige:
  • Volgende:

  • Skryf jou boodskap hier en stuur dit vir ons