8 Duim 200 mm 4H-N SiC Wafer Geleidende dummy navorsingsgraad

As gevolg van sy unieke fisiese en elektroniese eienskappe, word 200 mm SiC wafer halfgeleier materiaal gebruik om hoëprestasie, hoë temperatuur, stralingsbestande en hoëfrekwensie elektroniese toestelle te skep.8 duim SiC-substraatprys neem geleidelik af namate die tegnologie meer gevorderd raak en die vraag groei.Onlangse tegnologie-ontwikkelings lei tot die vervaardiging van 200 mm SiC-wafers op produksieskaal.Die belangrikste voordele van SiC-wafer-halfgeleiermateriale in vergelyking met Si- en GaAs-wafers: Die elektriese veldsterkte van 4H-SiC tydens sneeustorting is meer as 'n orde van grootte hoër as die ooreenstemmende waardes vir Si en GaAs.Dit lei tot 'n aansienlike afname in die op-toestand weerstand Ron.Lae weerstand in die toestand, gekombineer met hoë stroomdigtheid en termiese geleidingsvermoë, maak die gebruik van baie klein matrijs vir kragtoestelle moontlik.Die hoë termiese geleidingsvermoë van SiC verminder die termiese weerstand van die skyfie.Die elektroniese eienskappe van toestelle gebaseer op SiC-wafers is baie stabiel oor tyd en op temperatuur stabiel, wat hoë betroubaarheid van produkte verseker.Silikonkarbied is uiters bestand teen harde bestraling, wat nie die elektroniese eienskappe van die skyfie afbreek nie.Die hoë beperkende bedryfstemperatuur van die kristal (meer as 6000C) stel jou in staat om hoogs betroubare toestelle vir moeilike bedryfstoestande en spesiale toepassings te skep.Tans kan ons klein bondel 200mmSiC-wafers bestendig en deurlopend verskaf en 'n bietjie voorraad in die pakhuis hê.