8 duim 200 mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N tipe Produksiegraad 500um dikte

8 duim 200 mm Silikonkarbied SiC Wafers 4H-N tipe Produksiegraad 500um dikte Voorgestelde beeld

Kort beskrywing:

Sjanghai Xinkehui Tech.Co., Ltd bied die beste keuse en pryse vir hoë kwaliteit silikonkarbiedwafels en -substrate tot 8 duim deursnee met N- en semi-isolerende tipes.Klein en groot halfgeleier-toestelmaatskappye en navorsingslaboratoriums wêreldwyd gebruik en maak staat op ons silikoonkarbiedwafels.

Stuur e-pos aan ons

Produkbesonderhede

Produk Tags

200 mm 8 duim SiC substraat spesifikasie

Grootte: 8 duim;

Deursnee: 200mm±0.2;

Dikte: 500um±25;

Oppervlakoriëntasie: 4 na [11-20]±0.5°;

Kerf-oriëntasie:[1-100]±1°；

Kerfdiepte: 1±0,25 mm;

Mikropyp: <1cm2;

Seskantplate: Geen toegelaat nie;

Weerstand: 0,015~0,028Ω;

EPD:<8000cm2;

TED: <6000cm2

BPD: <2000cm2

TSD: <1000cm2

SF: area <1%

TTV≤15um；

Warp≤40um；

Boog≤25um；

Poli-areas: ≤5%;

Kras: <5 en Kumulatiewe Lengte< 1 Wafer Diameter;

Spaanders/Inkepings: Geen toelaat D>0.5mm Breedte en Diepte;

Krake: Geen;

Vlek: Geen

Wafelrand: Afkanting;

Oppervlakafwerking: Dubbelkantpolitoer, Si Face CMP;

Verpakking: Multi-wafel-kasset of enkelwafer-houer;

Die huidige probleme in die voorbereiding van 200mm 4H-SiC kristalle mainl

1) Die voorbereiding van hoë kwaliteit 200mm 4H-SiC saadkristalle;

2) Groot grootte temperatuur veld nie-uniformiteit en kernvorming proses beheer;

3) Die vervoerdoeltreffendheid en evolusie van gasvormige komponente in groter kristalgroeistelsels;

4) Kristal krake en defek verspreiding veroorsaak deur groot grootte termiese spanning toename.

Om hierdie uitdagings te oorkom en hoë kwaliteit 200mm SiC wafers oplossings te verkry, word voorgestel:

In terme van 200mm saad kristal voorbereiding, toepaslike temperatuur veldvloei veld, en uitbreiding samestelling is bestudeer en ontwerp om in ag te neem kristal kwaliteit en uitbreiding grootte;Begin met 'n 150mm SiC se:d kristal, voer saadkristaliterasie uit om die SiC kristalliseer geleidelik uit te brei totdat dit 200mm bereik;Deur veelvuldige kristalgroei en -verwerking, optimaliseer die kristalkwaliteit geleidelik in die kristaluitbreidende area, en verbeter die kwaliteit van 200 mm saadkristalle.

In terme van 200mm geleidende kristal en substraat voorbereiding, het navorsing die temperatuur veld en vloei veld ontwerp geoptimaliseer vir groot grootte kristalgroei, gelei 200mm geleidende SiC kristal groei, en beheer doping uniformiteit.Na rowwe verwerking en vorming van die kristal is 'n 8-duim-elektries geleidende 4H-SiC-staaf met 'n standaard deursnee verkry.Na sny, slyp, poleer, verwerking om SiC 200mm wafers met 'n dikte van 525um of so te verkry