Galliumnitried (GaN) Epitaksiaal Gekweek op Saffierwafels 4 duim 6 duim vir MEMS
Eienskappe van GaN op Sapphire Wafers
● Hoë doeltreffendheid:GaN-gebaseerde toestelle verskaf vyf keer meer krag as silikon-gebaseerde toestelle, wat die werkverrigting in verskeie elektroniese toepassings verbeter, insluitend RF-versterking en opto-elektronika.
● Wye Bandgaping:Die wye bandgap van GaN maak hoë doeltreffendheid by verhoogde temperature moontlik, wat dit ideaal maak vir hoëkrag- en hoëfrekwensietoepassings.
● Duursaamheid:GaN se vermoë om uiterste toestande (hoë temperature en straling) te hanteer, verseker langdurige werkverrigting in strawwe omgewings.
● Klein Grootte:GaN maak die produksie van meer kompakte en liggewig toestelle moontlik in vergelyking met tradisionele halfgeleiermateriale, wat kleiner en kragtiger elektronika vergemaklik.
Abstrak
Galliumnitried (GaN) is besig om na vore te tree as die halfgeleier van keuse vir gevorderde toepassings wat hoë krag en doeltreffendheid vereis, soos RF-voormodules, hoëspoed-kommunikasiestelsels en LED-beligting. GaN-epitaksiale wafers, wanneer dit op saffiersubstrate gekweek word, bied 'n kombinasie van hoë termiese geleidingsvermoë, hoë deurslagspanning en wye frekwensierespons, wat die sleutel is vir optimale werkverrigting in draadlose kommunikasietoestelle, radars en jammers. Hierdie wafers is beskikbaar in beide 4-duim en 6-duim diameters, met verskillende GaN-diktes om aan verskillende tegniese vereistes te voldoen. GaN se unieke eienskappe maak dit 'n uitstekende kandidaat vir die toekoms van kragelektronika.
Produkparameters
| Produkkenmerk | Spesifikasie |
| Waferdiameter | 50mm, 100mm, 50.8mm |
| Substraat | Saffier |
| GaN-laagdikte | 0.5 μm - 10 μm |
| GaN Tipe/Doping | N-tipe (P-tipe beskikbaar op aanvraag) |
| GaN Kristal Oriëntasie | <0001> |
| Poleer Tipe | Enkelkant gepoleer (SSP), dubbelkant gepoleer (DSP) |
| Al2O3 Dikte | 430 μm - 650 μm |
| TTV (Totale Diktevariasie) | ≤ 10 μm |
| Boog | ≤ 10 μm |
| Vervorming | ≤ 10 μm |
| Oppervlakte | Bruikbare Oppervlakte > 90% |
V&A
V1: Wat is die belangrikste voordele van die gebruik van GaN bo tradisionele silikon-gebaseerde halfgeleiers?
A1GaN bied verskeie beduidende voordele bo silikon, insluitend 'n wyer bandgaping, wat dit toelaat om hoër deurslagspannings te hanteer en doeltreffend by hoër temperature te werk. Dit maak GaN ideaal vir hoë-krag, hoëfrekwensie toepassings soos RF-modules, kragversterkers en LED's. GaN se vermoë om hoër kragdigthede te hanteer, maak ook kleiner en meer doeltreffende toestelle moontlik in vergelyking met silikon-gebaseerde alternatiewe.
V2: Kan GaN op Sapphire-wafers in MEMS (Mikro-Elektro-Meganiese Stelsels) toepassings gebruik word?
A2Ja, GaN op Sapphire-wafers is geskik vir MEMS-toepassings, veral waar hoë krag, temperatuurstabiliteit en lae geraas benodig word. Die materiaal se duursaamheid en doeltreffendheid in hoëfrekwensie-omgewings maak dit ideaal vir MEMS-toestelle wat in draadlose kommunikasie-, sensor- en radarstelsels gebruik word.
V3: Wat is die potensiële toepassings van GaN in draadlose kommunikasie?
A3GaN word wyd gebruik in RF-voorpuntmodules vir draadlose kommunikasie, insluitend 5G-infrastruktuur, radarstelsels en jammers. Die hoë kragdigtheid en termiese geleidingsvermoë maak dit perfek vir hoëkrag-, hoëfrekwensietoestelle, wat beter werkverrigting en kleiner vormfaktore moontlik maak in vergelyking met silikon-gebaseerde oplossings.
V4: Wat is die levertye en minimum bestelhoeveelhede vir GaN op Sapphire-wafers?
A4Leweringstye en minimum bestelhoeveelhede wissel na gelang van die wafergrootte, GaN-dikte en spesifieke kliëntvereistes. Kontak ons asseblief direk vir gedetailleerde pryse en beskikbaarheid gebaseer op u spesifikasies.
V5: Kan ek persoonlike GaN-laagdikte of dopingvlakke kry?
A5Ja, ons bied aanpassing van GaN-dikte en dopingvlakke om aan spesifieke toepassingsbehoeftes te voldoen. Laat weet ons asseblief u verlangde spesifikasies, en ons sal 'n pasgemaakte oplossing bied.
Gedetailleerde Diagram
