Gallium Nitride (GaN) Epitaksiaal gekweek op Sapphire Wafers 4 duim 6 duim vir MEMS
Eienskappe van GaN op Sapphire Wafers
●Hoë doeltreffendheid:GaN-gebaseerde toestelle verskaf vyf keer meer krag as silikon-gebaseerde toestelle, wat werkverrigting in verskeie elektroniese toepassings verbeter, insluitend RF-versterking en opto-elektronika.
● Wye bandgaping:Die wye bandgaping van GaN maak hoë doeltreffendheid by verhoogde temperature moontlik, wat dit ideaal maak vir hoëkrag- en hoëfrekwensietoepassings.
● Duursaamheid:GaN se vermoë om uiterste toestande (hoë temperature en bestraling) te hanteer, verseker langdurige werkverrigting in moeilike omgewings.
●Klein grootte:GaN maak voorsiening vir die vervaardiging van meer kompakte en liggewig toestelle in vergelyking met tradisionele halfgeleiermateriale, wat kleiner en kragtiger elektronika vergemaklik.
Abstrak
Gallium Nitride (GaN) kom na vore as die halfgeleier van keuse vir gevorderde toepassings wat hoë krag en doeltreffendheid vereis, soos RF-voorkantmodules, hoëspoed-kommunikasiestelsels en LED-beligting. GaN-epitaksiale wafers, wanneer dit op saffiersubstrate gegroei word, bied 'n kombinasie van hoë termiese geleidingsvermoë, hoë afbreekspanning en wye frekwensierespons, wat die sleutel is vir optimale werkverrigting in draadlose kommunikasietoestelle, radars en jammers. Hierdie wafers is beskikbaar in beide 4-duim en 6-duim deursnee, met verskillende GaN-diktes om aan verskillende tegniese vereistes te voldoen. GaN se unieke eienskappe maak dit 'n uitstekende kandidaat vir die toekoms van kragelektronika.
Produk Parameters
| Produkkenmerk | Spesifikasie |
| Wafel deursnee | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Substraat | Saffier |
| GaN-laagdikte | 0,5 μm - 10 μm |
| GaN Tipe/Doping | N-tipe (P-tipe beskikbaar op aanvraag) |
| GaN Kristal Oriëntasie | <0001> |
| Soort poleer | Enkel-kant gepoleer (SSP), dubbelkant gepoleer (DSP) |
| Al2O3 Dikte | 430 μm - 650 μm |
| TTV (Totale Dikte Variasie) | ≤ 10 μm |
| Buig | ≤ 10 μm |
| Skerring | ≤ 10 μm |
| Oppervlakte | Bruikbare oppervlakte > 90% |
V&A
V1: Wat is die belangrikste voordele van die gebruik van GaN bo tradisionele silikon-gebaseerde halfgeleiers?
A1: GaN bied verskeie beduidende voordele bo silikon, insluitend 'n groter bandgaping, wat dit toelaat om hoër afbreekspannings te hanteer en doeltreffend by hoër temperature te werk. Dit maak GaN ideaal vir hoëkrag-, hoëfrekwensietoepassings soos RF-modules, kragversterkers en LED's. GaN se vermoë om hoër kragdigthede te hanteer, maak ook kleiner en doeltreffender toestelle moontlik in vergelyking met silikon-gebaseerde alternatiewe.
V2: Kan GaN op Sapphire wafers gebruik word in MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) toepassings?
A2: Ja, GaN op Sapphire-wafers is geskik vir MEMS-toepassings, veral waar hoë krag, temperatuurstabiliteit en lae geraas vereis word. Die materiaal se duursaamheid en doeltreffendheid in hoëfrekwensie-omgewings maak dit ideaal vir MEMS-toestelle wat in draadlose kommunikasie-, waarnemings- en radarstelsels gebruik word.
V3: Wat is die potensiële toepassings van GaN in draadlose kommunikasie?
A3: GaN word wyd gebruik in RF-voorkantmodules vir draadlose kommunikasie, insluitend 5G-infrastruktuur, radarstelsels en jammers. Sy hoë kragdigtheid en termiese geleidingsvermoë maak dit perfek vir hoëkrag-, hoëfrekwensietoestelle, wat beter werkverrigting en kleiner vormfaktore moontlik maak in vergelyking met silikongebaseerde oplossings.
V4: Wat is die aanlooptye en minimum bestelhoeveelhede vir GaN op Sapphire-wafers?
A4: Leertye en minimum bestelhoeveelhede wissel na gelang van wafelgrootte, GaN-dikte en spesifieke kliëntvereistes. Kontak ons asseblief direk vir gedetailleerde pryse en beskikbaarheid gebaseer op u spesifikasies.
V5: Kan ek pasgemaakte GaN-laagdikte of dopingvlakke kry?
A5: Ja, ons bied aanpassing van GaN-dikte en dopingvlakke om aan spesifieke toepassingsbehoeftes te voldoen. Laat weet ons asseblief jou verlangde spesifikasies, en ons sal 'n pasgemaakte oplossing verskaf.
Gedetailleerde diagram
