HPSI SiC-wafer ≥90% deurlaatbaarheid optiese graad vir KI/AR-brille

Kort beskrywing:

Parameter	Graad	4-duim substraat	6-duim substraat
Deursnee	Z-graad / D-graad	99.5 mm – 100.0 mm	149.5 mm – 150.0 mm
Politipe	Z-graad / D-graad	4H	4H
Dikte	Z-graad	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Dikte	D-graad	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Wafer-oriëntasie	Z-graad / D-graad	Op as: <0001> ± 0.5°	Op as: <0001> ± 0.5°
Mikropypdigtheid	Z-graad	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
Mikropypdigtheid	D-graad	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
Weerstand	Z-graad	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
Weerstand	D-graad	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm

Stuur e-pos aan ons

Kenmerke

Kerninleiding: Die rol van HPSI SiC-wafers in KI/AR-brille

HPSI (Hoë-Suiwerheid Semi-Isolerende) Silikonkarbied-wafers is gespesialiseerde wafers wat gekenmerk word deur hoë weerstand (>10⁹ Ω·cm) en uiters lae defekdigtheid. In KI/AR-brille dien hulle hoofsaaklik as die kernsubstraatmateriaal vir diffraktiewe optiese golfgeleierlense, wat knelpunte aanspreek wat met tradisionele optiese materiale geassosieer word in terme van dun-en-ligte vormfaktore, hitte-afvoer en optiese werkverrigting. AR-brille wat SiC-golfgeleierlense gebruik, kan byvoorbeeld 'n ultrawye gesigsveld (FOV) van 70°–80° bereik, terwyl die dikte van 'n enkele lenslaag tot slegs 0.55 mm en die gewig tot slegs 2.7 g verminder word, wat drakomfort en visuele onderdompeling aansienlik verbeter.

b0968b8d-1b0f-4dfe-8fce-865d38404ba5_副本_副本

Sleutelkenmerke: Hoe SiC-materiaal KI/AR-brilontwerp bemagtig

Hoë brekingsindeks en optiese werkverrigtingsoptimalisering

SiC se brekingsindeks (2.6–2.7) is byna 50% hoër as dié van tradisionele glas (1.8–2.0). Dit maak voorsiening vir dunner en meer doeltreffende golfgeleierstrukture, wat die FOV aansienlik uitbrei. Die hoë brekingsindeks help ook om die "reënboogeffek" wat algemeen in diffraktiewe golfgeleiers voorkom, te onderdruk, wat die beeldsuiwerheid verbeter.

Uitsonderlike termiese bestuursvermoë

Met 'n termiese geleidingsvermoë van so hoog as 490 W/m·K (naby dié van koper), kan SiC vinnig hitte versprei wat deur Mikro-LED-skermmodules gegenereer word. Dit voorkom prestasievermindering of veroudering van toestelle as gevolg van hoë temperature, wat lang batterylewe en hoë stabiliteit verseker.

Meganiese sterkte en duursaamheid

SiC het 'n Mohs-hardheid van 9.5 (tweede slegs na diamant), wat uitsonderlike krasbestandheid bied, wat dit ideaal maak vir gereeld gebruikte verbruikersbrille. Die oppervlakruheid kan beheer word tot Ra < 0.5 nm, wat lae verlies en hoogs eenvormige ligtransmissie in golfgidse verseker.

Elektriese Eienskapsverenigbaarheid

HPSI SiC se weerstand (>10⁹ Ω·cm) help om seininterferensie te voorkom. Dit kan ook dien as 'n doeltreffende kragtoestelmateriaal, wat die kragbestuurmodules in AR-brille optimaliseer.

Primêre Toepassingsaanwysings

Kern Optiese Komponente vir KI/AR Glases

Diffraktiewe golfgidslense: SiC-substrate word gebruik om ultradun optiese golfgidse te skep wat groot FOV en die uitskakeling van die reënboogeffek ondersteun.
Vensterplate en Prismas: Deur middel van pasgemaakte sny en polering kan SiC verwerk word in beskermende vensters of optiese prismas vir AR-brille, wat ligdeurlaatbaarheid en slytasiebestandheid verbeter.

Uitgebreide toepassings in ander velde

Kragselektronika: Word gebruik in hoëfrekwensie-, hoëkrag-scenario's soos nuwe energie-voertuigomsetters en industriële motorbeheer.
Kwantumoptika: Tree op as 'n gasheer vir kleursentrums, wat in substrate vir kwantumkommunikasie- en sensortoestelle gebruik word.

4 duim en 6 duim HPSI SiC substraat spesifikasie vergelyking

Parameter	Graad	4-duim substraat	6-duim substraat
Deursnee	Z-graad / D-graad	99.5 mm - 100.0 mm	149.5 mm - 150.0 mm
Politipe	Z-graad / D-graad	4H	4H
Dikte	Z-graad	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
Dikte	D-graad	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
Wafer-oriëntasie	Z-graad / D-graad	Op as: <0001> ± 0.5°	Op as: <0001> ± 0.5°
Mikropypdigtheid	Z-graad	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
Mikropypdigtheid	D-graad	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
Weerstand	Z-graad	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
Weerstand	D-graad	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
Primêre Plat Oriëntasie	Z-graad / D-graad	(10-10) ± 5.0°	(10-10) ± 5.0°
Primêre Plat Lengte	Z-graad / D-graad	32,5 mm ± 2,0 mm	Kerf
Sekondêre plat lengte	Z-graad / D-graad	18.0 mm ± 2.0 mm	-
Randuitsluiting	Z-graad / D-graad	3 mm	3 mm
LTV / TTV / Boog / Skering	Z-graad	≤ 2,5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm	≤ 2,5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm
LTV / TTV / Boog / Skering	D-graad	≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm	≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
Ruheid	Z-graad	Poolse Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm	Poolse Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm
Ruheid	D-graad	Poolse Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm	Poolse Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.5 nm
Randkrake	D-graad	Kumulatiewe oppervlakte ≤ 0.1%	Kumulatiewe lengte ≤ 20 mm, enkel ≤ 2 mm
Politipe Gebiede	D-graad	Kumulatiewe oppervlakte ≤ 0.3%	Kumulatiewe oppervlakte ≤ 3%
Visuele Koolstofinsluitsels	Z-graad	Kumulatiewe oppervlakte ≤ 0.05%	Kumulatiewe oppervlakte ≤ 0.05%
Visuele Koolstofinsluitsels	D-graad	Kumulatiewe oppervlakte ≤ 0.3%	Kumulatiewe oppervlakte ≤ 3%
Silikon Oppervlak Krapsels	D-graad	5 toegelaat, elk ≤1mm	Kumulatiewe lengte ≤ 1 x deursnee
Randskyfies	Z-graad	Geen toegelaat nie (breedte en diepte ≥0.2mm)	Geen toegelaat nie (breedte en diepte ≥0.2mm)
Randskyfies	D-graad	7 toegelaat, elk ≤1mm	7 toegelaat, elk ≤1mm
Draadskroefontwrigting	Z-graad	-	≤ 500 cm²
Verpakking	Z-graad / D-graad	Multi-waferkasset of enkelwaferhouer	Multi-waferkasset of enkelwaferhouer

XKH Dienste: Geïntegreerde Vervaardiging en Aanpassingsvermoëns

XKH-maatskappy beskik oor vertikale integrasievermoëns van grondstowwe tot voltooide wafers, wat die hele ketting van SiC-substraatgroei, sny, polering en pasgemaakte verwerking dek. Belangrike diensvoordele sluit in:

Materiële Diversiteit:Ons kan verskeie wafertipes verskaf soos 4H-N-tipe, 4H-HPSI-tipe, 4H/6H-P-tipe en 3C-N-tipe. Weerstand, dikte en oriëntasie kan volgens vereistes aangepas word.
.Buigsame Grootte Aanpassing:Ons ondersteun waferverwerking van 2-duim tot 12-duim deursnee, en kan ook spesiale strukture soos vierkantige stukke (bv. 5x5mm, 10x10mm) en onreëlmatige prismas verwerk.
Optiese-graad Presisiebeheer:Wafer Totale Dikte Variasie (TTV) kan gehandhaaf word op <1μm, en oppervlakruheid op Ra < 0.3 nm, wat voldoen aan die nano-vlak platheidsvereistes vir golfgeleiertoestelle.
Vinnige markreaksie:Die geïntegreerde besigheidsmodel verseker doeltreffende oorgang van O&O na massaproduksie, en ondersteun alles van kleinskaalse verifikasie tot grootskaalse verskepings (leestyd tipies 15-40 dae).

Gereelde vrae oor HPSI SiC-wafers

V1: Waarom word HPSI SiC as 'n ideale materiaal vir AR-golfgeleierlense beskou?
A1: Die hoë brekingsindeks (2.6–2.7) maak dunner, meer doeltreffende golfgeleierstrukture moontlik wat 'n groter gesigsveld ondersteun (bv. 70°–80°) terwyl die "reënboogeffek" uitgeskakel word.
V2: Hoe verbeter HPSI SiC termiese bestuur in KI/AR-brille?
A2: Met 'n termiese geleidingsvermoë van tot 490 W/m·K (naby aan koper), versprei dit doeltreffend hitte van komponente soos Mikro-LED's, wat stabiele werkverrigting en 'n langer toestellewensduur verseker.
V3: Watter duursaamheidsvoordele bied HPSI SiC vir draagbare brille?
A3: Die uitsonderlike hardheid (Mohs 9.5) bied uitstekende krasbestandheid, wat dit hoogs duursaam maak vir daaglikse gebruik in verbruikersgraad AR-brille.