Produkte
-
p-tipe 4H/6H-P 3C-N TIPE SIC substraat 4 duim 〈111〉± 0.5° Zero MPD
-
SiC-substraat P-tipe 4H/6H-P 3C-N 4 duim met dikte van 350um Produksiegraad Dummy-graad
-
4H/6H-P 6 duim SiC wafer Zero MPD graad Produksiegraad Dummy Graad
-
P-tipe SiC wafer 4H/6H-P 3C-N 6 duim dikte 350 μm met primêre plat oriëntasie
-
Alumina keramiek arm pasgemaak Keramiek robot arm
-
Sapphire tube KY Metode alles deursigtig Aanpasbaar
-
Al2O3 99.999% saffier pasgemaakte lem deursigtige slytasiebestand 38×4.5×0.3mmt
-
Sapphire lem haaroorplanting kan aangepas word vir mediese doeleindes
-
Lilac YAG grondstof poeier pers in voorraad
-
TVG proses op kwarts saffier BF33 wafer Glas wafer pons
-
Enkelkristal silikonwafel Si Substraat Tipe N/P Opsionele silikonkarbiedwafel
-
N-tipe SiC Saamgestelde Substrate Dia6inch Hoë kwaliteit monokristallijne en lae kwaliteit substraat