SiC keramiek skinkbord plaat grafiet met CVD SiC coating vir toerusting

Silikonkarbiedkeramiek word nie net gebruik in die dunfilm-afsettingstadium, soos epitaksie of MOCVD, of in wafelverwerking, in die hart waarvan die wafeldraerbakkies vir MOCVD eers aan die afsettingsomgewing onderwerp word nie, en is dus hoogs bestand teen hitte en korrosie.SiC-bedekte draers het ook hoë termiese geleidingsvermoë en uitstekende termiese verspreidingseienskappe.

Suiwer Chemiese Vapor Deposition Silicon Carbide (CVD SiC) wafer draers vir hoë temperatuur Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) verwerking.

Suiwer CVD SiC wafer draers is aansienlik beter as die konvensionele wafel draers wat in hierdie proses gebruik word, wat grafiet is en bedek is met 'n laag CVD SiC.hierdie bedekte grafiet-gebaseerde draers kan nie die hoë temperature (1100 tot 1200 grade Celsius) weerstaan ​​wat nodig is vir GaN-neerlegging van vandag se hoë helderheid blou en wit led nie.Die hoë temperature veroorsaak dat die laag klein gaatjies ontwikkel waardeur proseschemikalieë die grafiet daaronder erodeer.Die grafietdeeltjies vlok dan af en besoedel die GaN, wat veroorsaak dat die bedekte wafeldraer vervang word.

CVD SiC het 'n suiwerheid van 99,999% of meer en het 'n hoë termiese geleidingsvermoë en termiese skokweerstand.Daarom kan dit die hoë temperature en moeilike omgewings van hoë helderheid LED-vervaardiging weerstaan.Dit is 'n soliede monolitiese materiaal wat teoretiese digtheid bereik, minimale deeltjies produseer en baie hoë weerstand teen korrosie en erosie vertoon.Die materiaal kan ondeursigtigheid en geleidingsvermoë verander sonder om metaal onsuiwerhede in te voer.Wafeldraers is tipies 17 duim in deursnee en kan tot 40 2-4 duim wafers hou.