SiC keramiek bakplaat grafiet met CVD SiC laag vir toerusting

Silikonkarbied-keramiek word nie net in die dunfilm-afsettingsfase, soos epitaksie of MOCVD, of in waferverwerking gebruik nie, waar die waferdraerbakke vir MOCVD eers aan die afsettingsomgewing onderwerp word en dus hoogs bestand is teen hitte en korrosie. SiC-bedekte draers het ook hoë termiese geleidingsvermoë en uitstekende termiese verspreidingseienskappe.

Suiwer Chemiese Dampneerslag Silikonkarbied (CVD SiC) waferdraers vir hoëtemperatuur Metaal Organiese Chemiese Dampneerslag (MOCVD) verwerking.

Suiwer CVD SiC-wafeldraers is aansienlik beter as die konvensionele wafeldraers wat in hierdie proses gebruik word, wat grafiet is en bedek is met 'n laag CVD SiC. Hierdie bedekte grafietgebaseerde draers kan nie die hoë temperature (1100 tot 1200 grade Celsius) weerstaan ​​wat benodig word vir GaN-afsetting van vandag se hoë helderheid blou en wit LED nie. Die hoë temperature veroorsaak dat die laag klein gaatjies ontwikkel waardeur proseschemikalieë die grafiet daaronder erodeer. Die grafietdeeltjies skilfer dan af en besoedel die GaN, wat veroorsaak dat die bedekte wafeldraer vervang moet word.

CVD SiC het 'n suiwerheid van 99.999% of meer en het hoë termiese geleidingsvermoë en termiese skokweerstand. Daarom kan dit die hoë temperature en strawwe omgewings van hoë helderheid LED-vervaardiging weerstaan. Dit is 'n soliede monolitiese materiaal wat teoretiese digtheid bereik, minimale deeltjies produseer en baie hoë korrosie- en erosiebestandheid toon. Die materiaal kan ondeursigtigheid en geleidingsvermoë verander sonder om metaalonsuiwerhede in te bring. Waferdraers is tipies 17 duim in deursnee en kan tot 40 2-4 duim wafers hou.