SOI-wafer-isolator op silikon 8-duim en 6-duim SOI (Silikon-Op-Isolator) wafers

Kort beskrywing:

Die Silikon-Op-Isolator (SOI) wafer, bestaande uit drie afsonderlike lae, tree na vore as 'n hoeksteen in die gebied van mikro-elektronika en radiofrekwensie (RF) toepassings. Hierdie abstrak verduidelik die sentrale eienskappe en diverse toepassings van hierdie innoverende substraat.


Produkbesonderhede

Produk-etikette

Bekendstelling van waferboks

Die drielaag-SOI-wafer, wat bestaan ​​uit 'n boonste silikonlaag, 'n isolerende oksiedlaag en 'n onderste silikonsubstraat, bied ongeëwenaarde voordele in mikro-elektronika en RF-domeine. Die boonste silikonlaag, met hoëgehalte-kristallyne silikon, vergemaklik die integrasie van ingewikkelde elektroniese komponente met presisie en doeltreffendheid. Die isolerende oksiedlaag, wat noukeurig ontwerp is om parasitiese kapasitansie te minimaliseer, verbeter toestelprestasie deur ongewenste elektriese interferensie te verminder. Die onderste silikonsubstraat bied meganiese ondersteuning en verseker versoenbaarheid met bestaande silikonverwerkingstegnologieë.

In mikro-elektronika dien die SOI-wafer as 'n fondament vir die vervaardiging van gevorderde geïntegreerde stroombane (IC's) met superieure spoed, kragdoeltreffendheid en betroubaarheid. Die drielaag-argitektuur daarvan maak die ontwikkeling van komplekse halfgeleiertoestelle soos CMOS (Aanvullende Metaaloksied-Halfgeleier) IC's, MEMS (Mikro-Elektromeganiese Stelsels) en kragtoestelle moontlik.

In die RF-domein toon die SOI-wafer merkwaardige prestasie in die ontwerp en implementering van RF-toestelle en -stelsels. Die lae parasitiese kapasitansie, hoë deurslagspanning en uitstekende isolasie-eienskappe maak dit 'n ideale substraat vir RF-skakelaars, versterkers, filters en ander RF-komponente. Daarbenewens maak die SOI-wafer se inherente stralingsbestandheid dit geskik vir lugvaart- en verdedigingstoepassings waar betroubaarheid in strawwe omgewings van die allergrootste belang is.

Verder strek die veelsydigheid van die SOI-wafer tot opkomende tegnologieë soos fotoniese geïntegreerde stroombane (PIC's), waar die integrasie van optiese en elektroniese komponente op 'n enkele substraat belofte inhou vir volgende generasie telekommunikasie- en datakommunikasiestelsels.

Kortliks, die drielaag-Silikon-Op-Isolator (SOI) wafer staan ​​aan die voorpunt van innovasie in mikro-elektronika en RF-toepassings. Die unieke argitektuur en uitsonderlike werkverrigtingseienskappe baan die weg vir vooruitgang in diverse industrieë, dryf vooruitgang aan en vorm die toekoms van tegnologie.

Gedetailleerde Diagram

asd (1)
asd (2)

  • Vorige:
  • Volgende:

  • Skryf jou boodskap hier en stuur dit vir ons