Substraat
-
SiC-substraat P-tipe 4H/6H-P 3C-N 4 duim met 'n dikte van 350 µm Produksiegraad Dummy-graad
-
4H/6H-P 6-duim SiC-wafer Nul MPD-graad Produksiegraad Dummy-graad
-
P-tipe SiC-wafer 4H/6H-P 3C-N 6 duim dikte 350 μm met primêre plat oriëntasie
-
TVG-proses op kwarts saffier BF33-wafer Glaswaferpons
-
Enkelkristal silikonwafer Si-substraattipe N/P Opsionele silikonkarbiedwafer
-
N-tipe SiC-saamgestelde substrate Dia6 duim Hoë kwaliteit monokristallyne en lae kwaliteit substraat
-
Semi-isolerende SiC op Si-saamgestelde substrate
-
Semi-isolerende SiC-saamgestelde substrate Dia2 duim 4 duim 6 duim 8 duim HPSI
-
Sintetiese Saffierboule Monokristal Saffier Blank Diameter en dikte kan aangepas word
-
N-tipe SiC op Si-saamgestelde substrate Dia6 duim
-
SiC-substraat Dia200mm 4H-N en HPSI Silikonkarbied
-
3 duim SiC substraat Produksie Dia76.2mm 4H-N