12 duim Dia300x1.0mmt Sapphire Wafer Substraat C-Plane SSP/DSP

Kort beskrywing:

Met die ontwikkeling van wetenskap en tegnologie is nuwe vereistes vir die grootte en kwaliteit van saffierkristalmateriale gestel.Nou, met die vinnige ontwikkeling van halfgeleierbeligting en ander opkomende toepassings, brei die mark vir laekoste, hoë kwaliteit, groot grootte saffierkristalle dramaties uit.

Stuur e-pos aan ons

Produkbesonderhede

Produk Tags

12 duim Sapphire Substraat mark situasie

Op die oomblik het saffier twee hoofgebruike, een is die substraatmateriaal, wat hoofsaaklik LED-substraatmateriaal is, die ander is die horlosieskakelaar, lugvaart, lugvaart, spesiale vervaardigingsvenstermateriaal.

Alhoewel silikonkarbied, silikon en galliumnitried ook beskikbaar is as substrate vir leds benewens saffier, is massaproduksie steeds nie moontlik nie weens koste en sommige onopgeloste tegniese knelpunte.Sapphire substraat deur die tegniese ontwikkeling in die afgelope jaar, sy rooster passing, elektriese geleidingsvermoë, meganiese eienskappe, termiese geleidingsvermoë en ander eienskappe is aansienlik verbeter en bevorder, koste-effektiewe voordeel is aansienlik, so saffier het die mees volwasse en stabiele substraat materiaal geword in die LED-industrie, is wyd gebruik in die mark, die markaandeel so hoog as 90%.

Kenmerkend van 12 Duim Sapphire Wafer Substraat

1. Saffiersubstraatoppervlaktes het 'n uiters lae deeltjietelling, met minder as 50 deeltjies 0,3 mikron of groter per 2 duim in die 2 tot 8 duim grootte reeks, en hoofmetale (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni , Cu, Zn) onder 2E10/cm2.Die 12-duim basismateriaal sal ook na verwagting hierdie graad behaal.
2. Kan gebruik word as 'n drawafer vir die 12-duim halfgeleier vervaardigingsproses (in-toestel vervoer palette) en as 'n substraat vir binding.
3. Kan die vorm van konkawe en konvekse oppervlak beheer.
Materiaal: Hoë suiwer enkelkristal Al2O3, saffierwafel.
LED kwaliteit, geen borrels, krake, tweelinge, afkoms, geen kleur..ens.

12 duim Sapphire Wafers

Oriëntering	C-vlak<0001> +/- 1 grade.
Deursnee	300,0 +/-0,25 mm
Dikte	1,0 +/-25um
Kerf	Kerf of plat
TTV	<50um
BOOG	<50um
Rande	Beskermende afkanting
Voorkant – gepoleer 80/50
Laser merk	Geen
Verpakking	Enkel wafer draer boks
Voorkant Epi-gereed gepoleer (Ra <0,3nm)
Agterkant Epi gereed gepoleer (Ra <0,3nm)