4H-semi HPSI 2 duim SiC substraat wafer Produksie Dummy Navorsingsgraad

Silikonkarbiedsubstraat word hoofsaaklik verdeel in geleidende en semi-isolerende tipe, geleidende silikonkarbiedsubstraat tot n-tipe substraat word hoofsaaklik gebruik vir epitaksiale GaN-gebaseerde LED en ander opto-elektroniese toestelle, SiC-gebaseerde krag elektroniese toestelle, ens., en semi- isolerende SiC silikonkarbied substraat word hoofsaaklik gebruik vir epitaksiale vervaardiging van GaN hoë-krag radiofrekwensie toestelle.Daarbenewens hoë-suiwerheid semi-isolasie HPSI en SI semi-isolasie is anders, hoë-suiwerheid semi-isolasie draer konsentrasie van 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3 reeks, met 'n hoë elektron mobiliteit;semi-isolasie is 'n hoë-weerstand materiale, weerstand is baie hoog, oor die algemeen gebruik word vir mikrogolf toestel substrate, nie-geleidende.

Semi-isolerende silikonkarbied-substraatplaat SiC-wafer

SiC kristalstruktuur bepaal sy fisiese, relatief tot Si en GaAs, SiC het vir die fisiese eienskappe;verbode bandwydte is groot, naby aan 3 keer dié van Si, om te verseker dat die toestel by hoë temperature onder die langtermyn betroubaarheid werk;afbreek veld sterkte is hoog, is 1O keer dié van Si, om te verseker dat die toestel spanning kapasiteit, die verbetering van die toestel spanning waarde;versadigingselektrontempo is groot, is 2 keer dié van Si, om die toestel se frekwensie en drywingsdigtheid te verhoog;termiese geleidingsvermoë is hoog, meer as Si, die termiese geleidingsvermoë is hoog, die termiese geleidingsvermoë is hoog, die termiese geleidingsvermoë is hoog, die termiese geleidingsvermoë is hoog, meer as die Si, die termiese geleidingsvermoë is hoog, die termiese geleidingsvermoë is hoog.Hoë termiese geleidingsvermoë, meer as 3 keer dié van Si, wat die hitte-afvoervermoë van die toestel verhoog en die miniaturisering van die toestel besef.