12-duim Saffierwafel C-vlak SSP/DSP
Gedetailleerde Diagram
Saffier Inleiding
Saffierwafels is 'n enkelkristal-substraatmateriaal gemaak van hoë-suiwer sintetiese aluminiumoksied (Al₂O₃). Groot saffierkristalle word gekweek met behulp van gevorderde metodes soos die Kyropoulos (KY) of Hitte-uitruilmetode (HEM), en dan verwerk deur sny, oriëntasie, slyp en presisie-polering. As gevolg van sy uitsonderlike fisiese, optiese en chemiese eienskappe, speel saffierwafels 'n onvervangbare rol in die velde van halfgeleiers, opto-elektronika en hoë-end verbruikerselektronika.
Hoofstroom Saffier Sintese Metodes
| Metode | Beginsel | Voordele | Hooftoepassings |
|---|---|---|---|
| Verneuil-metode(Vlamfusie) | Hoë-suiwerheid Al₂O₃-poeier word in 'n suiwer waterstofvlam gesmelt, druppels stol laag vir laag op 'n saad. | Lae koste, hoë doeltreffendheid, relatief eenvoudige proses | Saffiere van edelsteengehalte, vroeë optiese materiale |
| Czochralski-metode (CZ) | Al₂O₃ word in 'n kroesie gesmelt, en 'n saadkristal word stadig opwaarts getrek om die kristal te laat groei. | Produseer relatief groot kristalle met goeie integriteit | Laserkristalle, optiese vensters |
| Kyropoulos-metode (KY) | Beheerde stadige afkoeling laat die kristal geleidelik binne die kroesie groei | In staat om groot, lae-spanning kristalle te kweek (tiene kilogramme of meer) | LED-substrate, slimfoonskerms, optiese komponente |
| HEM-metode(Hitte-uitruiling) | Afkoeling begin vanaf die bokant van die kroesie, kristalle groei afwaarts vanaf die saad | Produseer baie groot kristalle (tot honderde kilogram) met eenvormige kwaliteit | Groot optiese vensters, lugvaart, militêre optika |
Kristal Oriëntasie
| Oriëntasie / Vlak | Miller-indeks | Eienskappe | Hooftoepassings |
|---|---|---|---|
| C-vlak | (0001) | Loodreg op die c-as, pooloppervlak, atome uniform gerangskik | LED, laserdiodes, GaN epitaksiale substrate (mees wyd gebruik) |
| A-vlak | (11-20) | Parallel aan die c-as, nie-polêre oppervlak, vermy polarisasie-effekte | Nie-polêre GaN-epitaksie, opto-elektroniese toestelle |
| M-vlak | (10-10) | Parallel aan die c-as, nie-polêr, hoë simmetrie | Hoëprestasie GaN-epitaksie, opto-elektroniese toestelle |
| R-vlak | (1-102) | Geneig na die c-as, uitstekende optiese eienskappe | Optiese vensters, infrarooi detektors, laserkomponente |
Saffierwafelspesifikasie (aanpasbaar)
| Item | 1-duim C-vlak (0001) 430 μm Saffierwafels | |
| Kristalmateriale | 99,999%, Hoë Suiwerheid, Monokristallyne Al2O3 | |
| Graad | Eersteklas, Epi-gereed | |
| Oppervlakoriëntasie | C-vlak(0001) | |
| C-vlak se hoek teenoor die M-as 0.2 +/- 0.1° | ||
| Deursnee | 25.4 mm +/- 0.1 mm | |
| Dikte | 430 μm +/- 25 μm | |
| Enkelkant gepoleer | Vooroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| (SSP) | Agteroppervlak | Fyn gemaal, Ra = 0.8 μm tot 1.2 μm |
| Dubbelkant gepoleer | Vooroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| (DSP) | Agteroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| TTV | < 5 μm | |
| BOOG | < 5 μm | |
| WARP | < 5 μm | |
| Skoonmaak / Verpakking | Klas 100 skoonkamer skoonmaak en vakuumverpakking, | |
| 25 stukke in een kassetverpakking of enkelstukverpakking. | ||
| Item | 2-duim C-vlak (0001) 430 μm Saffierwafels | |
| Kristalmateriale | 99,999%, Hoë Suiwerheid, Monokristallyne Al2O3 | |
| Graad | Eersteklas, Epi-gereed | |
| Oppervlakoriëntasie | C-vlak(0001) | |
| C-vlak se hoek teenoor die M-as 0.2 +/- 0.1° | ||
| Deursnee | 50.8 mm +/- 0.1 mm | |
| Dikte | 430 μm +/- 25 μm | |
| Primêre Plat Oriëntasie | A-vlak (11-20) +/- 0.2° | |
| Primêre plat lengte | 16.0 mm +/- 1.0 mm | |
| Enkelkant gepoleer | Vooroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| (SSP) | Agteroppervlak | Fyn gemaal, Ra = 0.8 μm tot 1.2 μm |
| Dubbelkant gepoleer | Vooroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| (DSP) | Agteroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| TTV | < 10 μm | |
| BOOG | < 10 μm | |
| WARP | < 10 μm | |
| Skoonmaak / Verpakking | Klas 100 skoonkamer skoonmaak en vakuumverpakking, | |
| 25 stukke in een kassetverpakking of enkelstukverpakking. | ||
| Item | 3-duim C-vlak (0001) 500μm Saffierwafels | |
| Kristalmateriale | 99,999%, Hoë Suiwerheid, Monokristallyne Al2O3 | |
| Graad | Eersteklas, Epi-gereed | |
| Oppervlakoriëntasie | C-vlak(0001) | |
| C-vlak se hoek teenoor die M-as 0.2 +/- 0.1° | ||
| Deursnee | 76.2 mm +/- 0.1 mm | |
| Dikte | 500 μm +/- 25 μm | |
| Primêre Plat Oriëntasie | A-vlak (11-20) +/- 0.2° | |
| Primêre plat lengte | 22.0 mm +/- 1.0 mm | |
| Enkelkant gepoleer | Vooroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| (SSP) | Agteroppervlak | Fyn gemaal, Ra = 0.8 μm tot 1.2 μm |
| Dubbelkant gepoleer | Vooroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| (DSP) | Agteroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| TTV | < 15 μm | |
| BOOG | < 15 μm | |
| WARP | < 15 μm | |
| Skoonmaak / Verpakking | Klas 100 skoonkamer skoonmaak en vakuumverpakking, | |
| 25 stukke in een kassetverpakking of enkelstukverpakking. | ||
| Item | 4-duim C-vlak (0001) 650 μm Saffierwafels | |
| Kristalmateriale | 99,999%, Hoë Suiwerheid, Monokristallyne Al2O3 | |
| Graad | Eersteklas, Epi-gereed | |
| Oppervlakoriëntasie | C-vlak(0001) | |
| C-vlak se hoek teenoor die M-as 0.2 +/- 0.1° | ||
| Deursnee | 100.0 mm +/- 0.1 mm | |
| Dikte | 650 μm +/- 25 μm | |
| Primêre Plat Oriëntasie | A-vlak (11-20) +/- 0.2° | |
| Primêre plat lengte | 30.0 mm +/- 1.0 mm | |
| Enkelkant gepoleer | Vooroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| (SSP) | Agteroppervlak | Fyn gemaal, Ra = 0.8 μm tot 1.2 μm |
| Dubbelkant gepoleer | Vooroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| (DSP) | Agteroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| BOOG | < 20 μm | |
| WARP | < 20 μm | |
| Skoonmaak / Verpakking | Klas 100 skoonkamer skoonmaak en vakuumverpakking, | |
| 25 stukke in een kassetverpakking of enkelstukverpakking. | ||
| Item | 6-duim C-vlak (0001) 1300 μm Saffierwafels | |
| Kristalmateriale | 99,999%, Hoë Suiwerheid, Monokristallyne Al2O3 | |
| Graad | Eersteklas, Epi-gereed | |
| Oppervlakoriëntasie | C-vlak(0001) | |
| C-vlak se hoek teenoor die M-as 0.2 +/- 0.1° | ||
| Deursnee | 150.0 mm +/- 0.2 mm | |
| Dikte | 1300 μm +/- 25 μm | |
| Primêre Plat Oriëntasie | A-vlak (11-20) +/- 0.2° | |
| Primêre plat lengte | 47.0 mm +/- 1.0 mm | |
| Enkelkant gepoleer | Vooroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| (SSP) | Agteroppervlak | Fyn gemaal, Ra = 0.8 μm tot 1.2 μm |
| Dubbelkant gepoleer | Vooroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| (DSP) | Agteroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| TTV | < 25 μm | |
| BOOG | < 25 μm | |
| WARP | < 25 μm | |
| Skoonmaak / Verpakking | Klas 100 skoonkamer skoonmaak en vakuumverpakking, | |
| 25 stukke in een kassetverpakking of enkelstukverpakking. | ||
| Item | 8-duim C-vlak (0001) 1300 μm Saffierwafels | |
| Kristalmateriale | 99,999%, Hoë Suiwerheid, Monokristallyne Al2O3 | |
| Graad | Eersteklas, Epi-gereed | |
| Oppervlakoriëntasie | C-vlak(0001) | |
| C-vlak se hoek teenoor die M-as 0.2 +/- 0.1° | ||
| Deursnee | 200.0 mm +/- 0.2 mm | |
| Dikte | 1300 μm +/- 25 μm | |
| Enkelkant gepoleer | Vooroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| (SSP) | Agteroppervlak | Fyn gemaal, Ra = 0.8 μm tot 1.2 μm |
| Dubbelkant gepoleer | Vooroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| (DSP) | Agteroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| TTV | < 30 μm | |
| BOOG | < 30 μm | |
| WARP | < 30 μm | |
| Skoonmaak / Verpakking | Klas 100 skoonkamer skoonmaak en vakuumverpakking, | |
| Enkelstuk verpakking. | ||
| Item | 12-duim C-vlak (0001) 1300 μm Saffierwafels | |
| Kristalmateriale | 99,999%, Hoë Suiwerheid, Monokristallyne Al2O3 | |
| Graad | Eersteklas, Epi-gereed | |
| Oppervlakoriëntasie | C-vlak(0001) | |
| C-vlak se hoek teenoor die M-as 0.2 +/- 0.1° | ||
| Deursnee | 300.0 mm +/- 0.2 mm | |
| Dikte | 3000 μm +/- 25 μm | |
| Enkelkant gepoleer | Vooroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| (SSP) | Agteroppervlak | Fyn gemaal, Ra = 0.8 μm tot 1.2 μm |
| Dubbelkant gepoleer | Vooroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| (DSP) | Agteroppervlak | Epi-gepoleer, Ra < 0.2 nm (deur AFM) |
| TTV | < 30 μm | |
| BOOG | < 30 μm | |
| WARP | < 30 μm | |
Saffier Wafer Produksieproses
-
Kristalgroei
-
Kweek saffierboules (100–400 kg) met behulp van die Kyropoulos (KY)-metode in toegewyde kristalgroeioonde.
-
-
Boor en vorming van stawe
-
Gebruik 'n boorloop om die boule in silindriese blokke met diameters van 2–6 duim en lengtes van 50–200 mm te verwerk.
-
-
Eerste Gloeiing
-
Inspekteer die blokke vir defekte en voer die eerste hoëtemperatuur-uitgloeiing uit om interne spanning te verlig.
-
-
Kristal Oriëntasie
-
Bepaal die presiese oriëntasie van die saffierstaaf (bv. C-vlak, A-vlak, R-vlak) met behulp van oriëntasie-instrumente.
-
-
Multi-draad saag sny
-
Sny die staaf in dun wafels volgens die vereiste dikte met behulp van multidraad-snytoerusting.
-
-
Aanvanklike Inspeksie & Tweede Uitgloeiing
-
Inspekteer die soos-gesnyde wafers (dikte, platheid, oppervlakdefekte).
-
Voer weer uitgloeiing uit indien nodig om die kristalkwaliteit verder te verbeter.
-
-
Afkanting, Slypwerk en CMP-polering
-
Voer afskuinsing, oppervlakslyp en chemiese meganiese polering (CMP) uit met gespesialiseerde toerusting om spieëlgraad-oppervlaktes te verkry.
-
-
Skoonmaak
-
Maak wafers deeglik skoon met ultrasuiwer water en chemikalieë in 'n skoonkameromgewing om deeltjies en kontaminante te verwyder.
-
-
Optiese en fisiese inspeksie
-
Voer transmissiedeteksie uit en teken optiese data op.
-
Meet waferparameters, insluitend TTV (Totale Diktevariasie), Boog, Vervorming, oriëntasie-akkuraatheid en oppervlakruheid.
-
-
Bedekking (Opsioneel)
-
Wend bedekkings aan (bv. AR-bedekkings, beskermende lae) volgens kliëntspesifikasies.
-
Finale Inspeksie en Verpakking
-
Voer 100% kwaliteitsinspeksie in 'n skoonkamer uit.
-
Pak wafers in kassetbokse onder Klas-100 skoon toestande en vakuumverseël dit voor versending.
Toepassings van Saffierwafels
Saffierwafels, met hul uitsonderlike hardheid, uitstekende optiese transmissie, uitstekende termiese werkverrigting en elektriese isolasie, word wyd toegepas in verskeie industrieë. Hul toepassings dek nie net tradisionele LED- en opto-elektroniese industrieë nie, maar brei ook uit na halfgeleiers, verbruikerselektronika en gevorderde lugvaart- en verdedigingsvelde.
1. Halfgeleiers en Opto-elektronika
LED-substrate
Saffierwafels is die primêre substrate vir galliumnitried (GaN) epitaksiale groei, en word wyd gebruik in blou LED's, wit LED's en Mini/Mikro LED-tegnologieë.
Laserdiodes (LD's)
As substrate vir GaN-gebaseerde laserdiodes ondersteun saffierwafels die ontwikkeling van hoë-krag, langdurige lasertoestelle.
Fotodetektors
In ultraviolet- en infrarooi-fotodetektors word saffierwafels dikwels as deursigtige vensters en isolerende substrate gebruik.
2. Halfgeleiertoestelle
RFIC's (Radiofrekwensie-geïntegreerde stroombane)
Danksy hul uitstekende elektriese isolasie is saffierwafels ideale substrate vir hoëfrekwensie- en hoëkrag-mikrogolftoestelle.
Silikon-op-Saffier (SoS) Tegnologie
Deur die toepassing van SoS-tegnologie kan parasitiese kapasitansie aansienlik verminder word, wat die stroombaanprestasie verbeter. Dit word wyd gebruik in RF-kommunikasie en lugvaartelektronika.
3. Optiese Toepassings
Infrarooi Optiese Vensters
Met hoë transmissie in die golflengtebereik van 200 nm–5000 nm word saffier wyd gebruik in infrarooi-detektors en infrarooi-geleidingstelsels.
Hoë-krag laservensters
Die hardheid en termiese weerstand van saffier maak dit 'n uitstekende materiaal vir beskermende vensters en lense in hoëkrag-laserstelsels.
4. Verbruikerselektronika
Kameralensdeksels
Die hoë hardheid van saffier verseker krasbestandheid vir slimfoon- en kameralense.
Vingerafdruksensors
Saffierwafels kan dien as duursame, deursigtige omhulsels wat akkuraatheid en betroubaarheid in vingerafdrukherkenning verbeter.
Slimhorlosies en premium skerms
Saffierskerms kombineer krasbestandheid met hoë optiese helderheid, wat hulle gewild maak in hoë-end elektroniese produkte.
5. Lugvaart en Verdediging
Missiel Infrarooi Koepels
Saffiervensters bly deursigtig en stabiel onder hoëtemperatuur- en hoëspoedtoestande.
Lugvaart Optiese Stelsels
Hulle word gebruik in hoësterkte optiese vensters en waarnemingstoerusting wat ontwerp is vir uiterste omgewings.
Ander algemene saffierprodukte
Optiese Produkte
-
Saffier Optiese Vensters
-
Gebruik in lasers, spektrometers, infrarooi beeldstelsels en sensorvensters.
-
Transmissiebereik:UV 150 nm tot middel-IR 5.5 μm.
-
-
Saffierlense
-
Toegepas in hoëkrag-laserstelsels en lugvaartoptika.
-
Kan vervaardig word as konvekse, konkawe of silindriese lense.
-
-
Saffierprismas
-
Gebruik in optiese meetinstrumente en presisiebeeldstelsels.
-
Lugvaart en Verdediging
-
Saffierkoepels
-
Beskerm infrarooi-soekers in missiele, onbemande vliegtuie en vliegtuie.
-
-
Saffier Beskermende Omhulsels
-
Weerstaan hoëspoed-lugvloei-impak en strawwe omgewings.
-
Produkverpakking
Oor XINKEHUI
Sjanghai Xinkehui Nuwe Materiaal Co., Ltd. is een van diegrootste optiese en halfgeleierverskaffer in China, gestig in 2002. XKH is ontwikkel om akademiese navorsers van wafers en ander halfgeleierverwante wetenskaplike materiale en dienste te voorsien. Halfgeleiermateriale is ons hoofkernbesigheid, ons span is tegnies gebaseer, sedert sy stigting is XKH diep betrokke by die navorsing en ontwikkeling van gevorderde elektroniese materiale, veral op die gebied van verskeie wafers/substrate.
Vennote
Met sy uitstekende halfgeleiermateriaaltegnologie het Shanghai Zhimingxin 'n vertroude vennoot geword van die wêreld se topmaatskappye en bekende akademiese instellings. Met sy volharding in innovasie en uitnemendheid het Zhimingxin diep samewerkingsverhoudings met bedryfsleiers soos Schott Glass, Corning en Seoul Semiconductor gevestig. Hierdie samewerkings het nie net die tegniese vlak van ons produkte verbeter nie, maar ook tegnologiese ontwikkeling op die gebied van kragselektronika, opto-elektroniese toestelle en halfgeleiertoestelle bevorder.
Benewens samewerking met bekende maatskappye, het Zhimingxin ook langtermyn navorsingsamewerkingsverhoudings met topuniversiteite regoor die wêreld soos Harvard Universiteit, University College London (UCL) en die Universiteit van Houston gevestig. Deur hierdie samewerkings bied Zhimingxin nie net tegniese ondersteuning vir wetenskaplike navorsingsprojekte in die akademie nie, maar neem ook deel aan die ontwikkeling van nuwe materiale en tegnologiese innovasie, wat verseker dat ons altyd aan die voorpunt van die halfgeleierbedryf is.
Deur noue samewerking met hierdie wêreldbekende maatskappye en akademiese instellings, bevorder Shanghai Zhimingxin steeds tegnologiese innovasie en ontwikkeling, en bied wêreldklasprodukte en -oplossings om aan die groeiende behoeftes van die globale mark te voldoen.
