Patroon -saffier -substraat PSS 2inch 4inch 6 inch ICP Dry Etching kan gebruik word vir LED -skyfies

Kort beskrywing:

Patroon -saffier -substraat (PSS) is 'n substraat waarop mikro- en nano -strukture gevorm word deur litografie en etstegnieke. Dit word hoofsaaklik gebruik in die vervaardiging van LED (liguitstraalende diode) om lig -ekstraksiedoeltreffendheid te verbeter deur die ontwerp van oppervlakpatrone, waardeur die helderheid en werkverrigting van LED verbeter word.

Stuur e -pos aan ons

Produkbesonderhede

Produk tags

Kernkenmerk

1. Materiële eienskappe: Die substraatmateriaal is 'n enkele kristal -saffier (Al₂o₃), met 'n hoë hardheid, hoë hitteweerstand en chemiese stabiliteit.

2. Oppervlakstruktuur: Die oppervlak word gevorm deur fotolithografie en ets in periodieke mikro-nano-strukture, soos keëls, piramides of seskantige skikkings.

3. Optiese werkverrigting: Deur die oppervlakpatroonontwerp word die totale weerkaatsing van lig by die koppelvlak verminder, en word die lig -ekstraksiedoeltreffendheid verbeter.

4. Termiese werkverrigting: Sapphire -substraat het uitstekende termiese geleidingsvermoë, geskik vir LED -toepassings met 'n hoë krag.

5. Grootte -spesifikasies: Gewone groottes is 50 duim (100 mm) en 100 duim (150 mm) en 150 mm (150 mm).

Belangrike toepassingsareas

1. LED -vervaardiging:
Verbeterde lig -ekstraksiedoeltreffendheid: PSS verminder ligverlies deur patroonontwerp, wat die LED -helderheid en ligte doeltreffendheid aansienlik verbeter.

Verbeterde epitaksiale groeikwaliteit: die patroonstruktuur bied 'n beter groeisbasis vir GaN -epitaksiale lae en verbeter LED -prestasie.

2. Laserdiode (LD):
Lasers met 'n hoë krag: Die hoë termiese geleidingsvermoë en stabiliteit van PSS is geskik vir laserdiodes met 'n hoë krag, wat die werkverrigting en betroubaarheid van hitte verbeter.

Lae drempelstroom: optimaliseer die epitaksiale groei, verminder die drempelstroom van die laserdiode en verbeter die doeltreffendheid daarvan.

3. Fotodetektor:
Hoë sensitiwiteit: die hoë ligtransmissie en lae defekdigtheid van die PSS verbeter die sensitiwiteit en reaksiesnelheid van die fotodetektor.

Wye spektrale respons: geskik vir foto -elektriese opsporing in die ultraviolet tot sigbare reeks.

4. Kragelektronika:
Hoogspanningsweerstand: Sapphire se hoë isolasie en termiese stabiliteit is geskik vir hoëspanningstoestelle.

Doeltreffende hitteverspreiding: Hoë termiese geleidingsvermoë verbeter die prestasie van hitte -verspreiding van kragtoestelle en verleng die lewensduur.

5. RF -toestelle:
Hoë frekwensieprestasie: Die lae diëlektriese verlies en hoë termiese stabiliteit van PSS is geskik vir RF -toestelle met 'n hoë frekwensie.

Lae geraas: hoë platheid en lae defekdigtheid verminder die geraas van die apparaat en verbeter seingehalte.

6. Biosensors:
Opsporing van hoë sensitiwiteit: Die hoë ligtransmissie en chemiese stabiliteit van PSS is geskik vir biosensors met 'n hoë sensitiwiteit.

Biokompatibiliteit: Die biokompatibiliteit van saffier maak dit geskik vir mediese en biodeteksie -toepassings.
Patroon -saffier -substraat (PSS) met GAN -epitaksiale materiaal:

Patroon -saffier -substraat (PSS) is 'n ideale substraat vir GaN (gallium nitride) epitaksiale groei. Die roosterkonstante van die saffier is naby GaN, wat roostermispate en defekte in epitaksiale groei kan verminder. Die mikro-nano-struktuur van die PSS-oppervlak verbeter nie net die doeltreffendheid van die ekstraksie nie, maar verbeter ook die kristalgehalte van die GAN-epitaksiale laag, waardeur die werkverrigting en betroubaarheid van die LED verbeter word.

Tegniese parameters

Item	Patroon -saffier -substraat (2 ~ 6 inch)
Deursnit	50,8 ± 0,1 mm	100,0 ± 0,2 mm	150,0 ± 0,3 mm
Dikte	430 ± 25μm	650 ± 25μm	1000 ± 25μm
Oppervlakoriëntasie	C-vlak (0001) van die hoek af na M-as (10-10) 0,2 ± 0,1 °
	C-vlak (0001) van die hoek af na A-as (11-20) 0 ± 0,1 °
Primêre plat oriëntasie	A-vlak (11-20) ± 1,0 °
Primêre plat lengte	16,0 ± 1,0 mm	30,0 ± 1,0 mm	47,5 ± 2,0 mm
R-vlak	9-O'Clok
Vooroppervlakte afwerking	Patroon
Agteroppervlakte afwerking	Ssp: fyn grond, ra = 0,8-1,2um; DSP: EPI-gepoleer, RA <0,3nM
Laser Mark	Agterkant
TTV	≤8μm	≤10μm	≤20μm
Strik	≤10μm	≤ 15μm	≤ 25μm
Warp	≤ 12μm	≤20μm	≤30μm
Randuitsluiting	≤2 mm
Patroonspesifikasie	Vormstruktuur	Koepel, keël, piramide
	Patroonhoogte	1,6 ~ 1,8μm
	Patroon deursnee	2,75 ~ 2,85μm
	Patroonruimte	0,1 ~ 0,3μm

XKH spesialiseer in die verskaffing van hoë gehalte, aangepaste patroon-sapphire-substraat (PSS) met tegniese ondersteuning en na-verkope diens om kliënte te help om doeltreffende innovasie op die gebied van LED, vertoon en opto-elektronika te bewerkstellig.

1. PSS -aanbod van hoë gehalte: gevormde saffier -substrate in verskillende groottes (2 ", 4", 6 ") om aan die behoeftes van LED-, vertoon- en opto -elektroniese toestelle te voldoen.

2. Aangepaste ontwerp: pas die oppervlak-mikro-nano-struktuur aan (soos keël, piramide of seskantige skikking) volgens die behoeftes van die kliënt om die doeltreffendheid van ligte ekstraksie te optimaliseer.

3. Tegniese ondersteuning: Voorsien PSS -toepassingsontwerp, prosesoptimalisering en tegniese konsultasie om kliënte te help om die prestasie van die produk te verbeter.

4. Epitaksiale groeiondersteuning: PSS wat ooreenstem met GAN-epitaksiale materiaal word voorsien om die groei van hoë gehalte epitaksiale laag te verseker.

5. Toetsing en sertifisering: verskaf PSS -kwaliteitsinspeksieverslag om te verseker dat produkte aan die bedryfstandaarde voldoen.