SiC
-
3 duim 76.2 mm 4H-Semi SiC substraatwafer Silikonkarbied Semi-beledigende SiC-wafers
-
3 duim Dia76.2mm SiC substrate HPSI Prime Research en Dummy graad
-
4H-semi HPSI 2-duim SiC-substraatwaferproduksie-dummy-navorsingsgraad
-
2 duim SiC-wafers 6H of 4H semi-isolerende SiC-substrate Dia50.8mm
-
4H-N 4 duim SiC substraatwafer Silikonkarbied Produksie Dummy Navorsingsgraad
-
6 duim 150 mm silikonkarbied SiC-wafers 4H-N-tipe vir MOS- of SBD-produksienavorsing en dummy-graad
-
2 duim silikonkarbiedwafels 6H of 4H N-tipe of semi-isolerende SiC-substrate
-
8 duim 200 mm 4H-N SiC Wafer Geleidende dummy navorsingsgraad
-
2 duim silikonkarbiedwafels 6H of 4H N-tipe of semi-isolerende SiC-substrate