SiO2 dun film termiese oksied silikon wafer 4 duim 6 duim 8 duim 12 duim

Die hoofproses van die vervaardiging van geoksideerde silikonwafels sluit gewoonlik die volgende stappe in: monokristallyne silikongroei, sny in wafers, polering, skoonmaak en oksidasie.

Monokristallyne silikongroei: Eerstens word monokristallyne silikon teen hoë temperature gekweek deur metodes soos die Czochralski-metode of die Float-zone-metode.Hierdie metode maak die voorbereiding van silikon enkelkristalle met hoë suiwerheid en roosterintegriteit moontlik.

Sny: Die gekweekte monokristallyne silikon is gewoonlik in 'n silindriese vorm en moet in dun skyfies gesny word om as 'n wafelsubstraat gebruik te word.Sny word gewoonlik met 'n diamantsnyer gedoen.

Poleer: Die oppervlak van die gesnyde wafel kan ongelyk wees en vereis chemies-meganiese polering om 'n gladde oppervlak te verkry.

Skoonmaak: Die gepoleerde wafel word skoongemaak om onsuiwerhede en stof te verwyder.

Oksidering: Laastens word die silikonwafels in 'n hoëtemperatuur-oond geplaas vir oksiderende behandeling om 'n beskermende laag silikondioksied te vorm om die elektriese eienskappe en meganiese sterkte daarvan te verbeter, asook om as 'n isolerende laag in geïntegreerde stroombane te dien.

Die hoofgebruike van geoksideerde silikonwafels sluit in die vervaardiging van geïntegreerde stroombane, die vervaardiging van sonselle en die vervaardiging van ander elektroniese toestelle.Silikonoksiedwafels word wyd gebruik in die veld van halfgeleiermateriale vanweë hul uitstekende meganiese eienskappe, dimensionele en chemiese stabiliteit, vermoë om teen hoë temperature en hoë druk te werk, sowel as goeie isolerende en optiese eienskappe.

Die voordele daarvan sluit in 'n volledige kristalstruktuur, suiwer chemiese samestelling, presiese afmetings, goeie meganiese eienskappe, ens. Hierdie kenmerke maak silikonoksiedwafels besonder geskik vir die vervaardiging van hoëprestasie geïntegreerde stroombane en ander mikro-elektroniese toestelle.