50,8 mm 2 duim GaN op saffier Epi-laag wafer
Toepassing van galliumnitried GaN epitaksiale vel
Op grond van die werkverrigting van galliumnitried, is galliumnitried epitaksiale skyfies hoofsaaklik geskik vir hoë drywing, hoë frekwensie en lae spanning toepassings.
Dit word weerspieël in:
1) Hoë bandgaping: Hoë bandgaping verbeter die spanningsvlak van galliumnitriedtoestelle en kan hoër krag lewer as galliumarseniedtoestelle, wat veral geskik is vir 5G-kommunikasiebasisstasies, militêre radar en ander velde;
2) Hoë omskakelingsdoeltreffendheid: die aan-weerstand van elektroniese toestelle vir galliumnitriedskakelkrag is 3 ordes laer as dié van silikontoestelle, wat die aanskakelverlies aansienlik kan verminder;
3) Hoë termiese geleidingsvermoë: die hoë termiese geleidingsvermoë van galliumnitried maak dit 'n uitstekende hitte-afvoer prestasie, geskik vir die vervaardiging van hoë-krag, hoë-temperatuur en ander velde van toestelle;
4) Afbreek-elektriese veldsterkte: Alhoewel die afbreek-elektriese veldsterkte van galliumnitried naby dié van silikonnitried is, as gevolg van halfgeleierproses, materiaalrooster-wanpassing en ander faktore, is die spanningstoleransie van galliumnitriedtoestelle gewoonlik ongeveer 1000V, en die veilige gebruik spanning is gewoonlik onder 650V.
| Item | GaN-TCU-C50 | GaN-TCN-C50 | GaN-TCP-C50 |
| Afmetings | e 50.8mm ± 0.1mm | ||
| Dikte | 4,5±0,5 um | 4,5±0,5um | |
| Oriëntering | C-vlak(0001) ±0.5° | ||
| Tipe geleiding | N-tipe (ongedopeerd) | N-tipe (Si-gedop) | P-tipe (Mg-gedop) |
| Weerstand (3O0K) | < 0,5 Q・cm | < 0,05 Q・cm | ~ 10 Q・cm |
| Draerkonsentrasie | <5x1017cm-3 | > 1x1018cm-3 | > 6x1016 cm-3 |
| Mobiliteit | ~ 300 cm2/Vs | ~ 200 cm2/Vs | ~ 10 cm2/Vs |
| Ontwrigting digtheid | Minder as 5x108cm-2(bereken deur FWHM's van XRD) | ||
| Substraatstruktuur | GaN op Sapphire (Standaard: SSP Opsie: DSP) | ||
| Bruikbare Oppervlakte | > 90% | ||
| Pakket | Verpak in 'n klas 100 skoon kamer omgewing, in kassette van 25 stuks of enkel wafer houers, onder 'n stikstof atmosfeer. | ||
* Ander dikte kan aangepas word
Gedetailleerde diagram
